Das Thema meiner Promotiom lautet: “In situ study of magnetocrystalline anisotropy in thin Fe films grown on GaAs (100) and GaAs (110)”. Diese Arbeit befasst sich mit dem Wachstum und der Charakterisierung von Fe-Schichten, die auf GaAs (100) und GaAs (110) Substraten gewachsen sind. In situ LEED, AES, und FMRTechniken im UHV wurden eingesetzt, um die strukturellen und magnetischen Eigenschaften der Fe-Filme zu bestimmen. Das erste Ziel der Arbeit war die Untersuchung der magnetischen Anisotropie in Fe-Filmen, die auf GaAs (110) und (100) im Hochvakuum als Funktion der Zeit gewachsen sind. Als zweites Ziel wurde der Einfluss der Deckschicht auf die magnetische Anisotropie, den g-Faktor und die Gilbert-Dämpfung von Fe/GaAs (100) bestimmt. Schließlich wurde der Einfluss der Substratdotierung auf die magnetischen Eigenschaften von Pt/Ag/Fe/GaAs (110) untersucht. Der g-Faktor und die Gilbert-Dämpfung wurden durch frequenzabhängige FMR-Messungen in situ bestimmt. Zu diesem Zweck wurde der in situ FMRAufbau im Rahmen dieser Arbeit mit einer 40-GHz-Mikrowellenkurzwelle aufgerüstet.