Inhaltsverzeichnis | II | |
Verzeichnis der Bilder und Tabellen | V | |
Liste der Abkürzungen | VIII | |
Liste der Formelzeichen | IX | |
1 | Einleitung | 1 |
2 | Grundlagen | 4 |
2.1 | Elektronenmikroskopische Grundlagen | 4 |
2,2 | Thermodynamische Grundlagen zur Mischungslücke im III-V-Halbleitersystem | 39 |
2.3 | Eigenschaften und Herstellung des Materialsystems GaxIn1-xAsyP1- y | 47 |
3 | Bisheriger Kenntnisstand | 52 |
3.1 | Ist-Stand bei der Charakterisierung von Entmischungshänomenen in GaxIn1- xAsyP1-y-Halbleiter-Heteroschichten | 52 |
3.2 | Ist-Stand in der Anwendung des Maximum-Entropie- Verfahrens an Hochauflösungs- Ordnungszahlkontrastabbildungen | 54 |
4 | Verbesserung der Hochauflösungs-Ordnungszahl- kontrastabbildung durch Anwendung des Maximum-Entropie-Verfahrens (MEV) | 56 |
4.1 | Kritische Prüfung des MEV | 56 |
4.2 | Leistungsfähigkeit des MEV | 64 |
5 | Experimentelle Ergebnisse zur Entmischung von GaxIn1- xAsyP1-y-Halbleiter- Heteroschichten | 74 |
5.1 | Untersuchung von GaxIn1-xAsyP1-y- Einzelschichten | 74 |
5.2 | Untersuchung von GaxIn1-xAszP1- z/GayIn1-yAszP1-z- Übergittern | 91 |
6 | Diskussion | 104 |
7 | Ausblick | 107 |
8 | Zusammenfassung | 109 |
9 | Literatur | Dank |