| Inhaltsverzeichnis | II | |
| Verzeichnis der Bilder und Tabellen | V | |
| Liste der Abkürzungen | VIII | |
| Liste der Formelzeichen | IX | |
| 1 | Einleitung | 1 |
| 2 | Grundlagen | 4 |
| 2.1 | Elektronenmikroskopische Grundlagen | 4 |
| 2,2 | Thermodynamische Grundlagen zur Mischungslücke im III-V-Halbleitersystem | 39 |
| 2.3 | Eigenschaften und Herstellung des Materialsystems GaxIn1-xAsyP1- y | 47 |
| 3 | Bisheriger Kenntnisstand | 52 |
| 3.1 | Ist-Stand bei der Charakterisierung von Entmischungshänomenen in GaxIn1- xAsyP1-y-Halbleiter-Heteroschichten | 52 |
| 3.2 | Ist-Stand in der Anwendung des Maximum-Entropie- Verfahrens an Hochauflösungs- Ordnungszahlkontrastabbildungen | 54 |
| 4 | Verbesserung der Hochauflösungs-Ordnungszahl- kontrastabbildung durch Anwendung des Maximum-Entropie-Verfahrens (MEV) | 56 |
| 4.1 | Kritische Prüfung des MEV | 56 |
| 4.2 | Leistungsfähigkeit des MEV | 64 |
| 5 | Experimentelle Ergebnisse zur Entmischung von GaxIn1- xAsyP1-y-Halbleiter- Heteroschichten | 74 |
| 5.1 | Untersuchung von GaxIn1-xAsyP1-y- Einzelschichten | 74 |
| 5.2 | Untersuchung von GaxIn1-xAszP1- z/GayIn1-yAszP1-z- Übergittern | 91 |
| 6 | Diskussion | 104 |
| 7 | Ausblick | 107 |
| 8 | Zusammenfassung | 109 |
| 9 | Literatur | Dank |