Inhaltsverzeichnis
0 | Vorwort | III |
1. | Einleitung | 1 |
1.1 | Motivation | 1 |
1.2 | Wissenschaftliche Zielsetzung und
Gliederung
der Arbeit
|
3 |
2 | Optische Grundlagen der Photosensorik | 5 |
2.1 | Radiometrische und photometrische Größen | 5 |
2.2 | Die Abbildung über einstufige optische Systeme | 10 |
2.3 | Das Auflösungsvermögen optischer Sensorsysteme | 13 |
3 | Bauelemente der CMOS-Photosensorik | 18 |
3.1 | MOS Feldeffekt-Transistoren | 18 |
3.2 | Lichtempflindliche Bauelemente im CMOS-Prozeß | 26 |
3.3 | Rauschen in CMOS-Photosensoren | 36 |
4 | Zweidimensionale CMOS-Bildsensorik | 52 |
4.1 | Architektur eines 2D-CMOS-Bildsensors | 52 |
4.2 | Übersicht möglicher Ausleseverfahren für CMOS-Photoioden | 54 |
4.3. | Integrierender Photosensor mit Spannungsauslese | 56 |
4.4 | Integrierender Photosensor mit Ladungsauslese | 63 |
4.5 | Photosensor mit logarithmischer Auslese | 71 |
4.6 | Diskussion der Ergebnisse
|
79 |
5 | Realisierungsbeispiele für 2D-CMOS-Bildsensoren | 83 |
5.1 | CMOS-Kamera mit hohem Dynamikbereich und hexagonaler Bildabtastung | 86 |
5.2 | CMOS-Kamera mit lokaler Helligkeitsadaptation | 99 |
6 | Zusammenfassung | 122 |
A | Der MOS-Transistor in schwacher Inversion | 125 |
B | Quantenwirkungsgrad der vertikalen pn-Photodiode | 132 |
Literturverzeichnis | 136 | |
Abkürzungen und Formelzeichen |