Inhaltsverzeichnis
| 0 | Vorwort | III |
| 1. | Einleitung | 1 |
| 1.1 | Motivation | 1 |
| 1.2 | Wissenschaftliche Zielsetzung und
Gliederung
der Arbeit
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3 |
| 2 | Optische Grundlagen der Photosensorik | 5 |
| 2.1 | Radiometrische und photometrische Größen | 5 |
| 2.2 | Die Abbildung über einstufige optische Systeme | 10 |
| 2.3 | Das Auflösungsvermögen optischer Sensorsysteme | 13 |
| 3 | Bauelemente der CMOS-Photosensorik | 18 |
| 3.1 | MOS Feldeffekt-Transistoren | 18 |
| 3.2 | Lichtempflindliche Bauelemente im CMOS-Prozeß | 26 |
| 3.3 | Rauschen in CMOS-Photosensoren | 36 |
| 4 | Zweidimensionale CMOS-Bildsensorik | 52 |
| 4.1 | Architektur eines 2D-CMOS-Bildsensors | 52 |
| 4.2 | Übersicht möglicher Ausleseverfahren für CMOS-Photoioden | 54 |
| 4.3. | Integrierender Photosensor mit Spannungsauslese | 56 |
| 4.4 | Integrierender Photosensor mit Ladungsauslese | 63 |
| 4.5 | Photosensor mit logarithmischer Auslese | 71 |
| 4.6 | Diskussion der Ergebnisse
|
79 |
| 5 | Realisierungsbeispiele für 2D-CMOS-Bildsensoren | 83 |
| 5.1 | CMOS-Kamera mit hohem Dynamikbereich und hexagonaler Bildabtastung | 86 |
| 5.2 | CMOS-Kamera mit lokaler Helligkeitsadaptation | 99 |
| 6 | Zusammenfassung | 122 |
| A | Der MOS-Transistor in schwacher Inversion | 125 |
| B | Quantenwirkungsgrad der vertikalen pn-Photodiode | 132 |
| Literturverzeichnis | 136 | |
| Abkürzungen und Formelzeichen |