In der vorliegenden Arbeit wird die Eignung einer Dünnfilm-SOI CMOS-Technologie zur Detektion von elektromagnetischer Strahlung untersucht. Die Detektion von Strahlung in dieser Technologie wird durch drei technologiespezifische Aspekte geprägt. Diese sind die relativ dünne Siliziumschicht, der dadurch erzwungene laterale Aufbau von Photodetektoren und die elektrische Steuerung der Photo-detektoren durch das sogenannte Back-Gate. Da bisher keine Erkenntnisse über die Eignung einer Dünnfilm-SOI-Technologie zur Anwendung im Bereich Einzelphoton-Detektor vorliegen, wird dieser Aspekt zusätzlich untersucht. Das elektrische und optische Verhalten von pin-Photodioden wird betrachtet. Beim elektrischen Verhalten sind der Dunkelstrom und das Durchbruchverhalten wichtige Parameter. Der Dunkelstrom wird in Abhängigkeit der Dotierung, der Geometrie und der Temperatur der pin-Photodiode untersucht. Zum Verständnis der Entstehung des Dunkelstroms wird ein Modell zu dessen Beschreibung entwickelt. Das Durchbruchverhalten wird mit Hilfe von elektrischen Messungen und numerischen Simulationen untersucht. Dabei wird besonders der Einfluss des Back-Gates betrachtet. Schließlich wird die pin-Photodiode als Einzelphoton-Detektor betrieben und charakterisiert. Aufgrund der geringen Dicke des Siliziums und der Absorption der Siliziumnitrid-Passivierung ist die Wellenlänge der elektromagnetischen Strahlung, die detektiert werden kann, auf den ultravioletten Spektralbereich beschränkt. Der Dunkelstrom der pin-Photodiode ist, verglichen mit Dioden der Standard CMOS-Technologie, geringer, insbesondere wenn die Temperatur des Bauelements erhöht wird. Der dominante Beitrag zum Dunkelstrom der pin-Photodiode ist die thermische Generation an den Grenzflächen zwischen Silizium und Siliziumdioxid. Sowohl die Generation als auch die Temperaturabhängigkeit werden gut durch das entwickelte Modell beschrieben. Beim Betrieb der pin-Photodiode als Einzelphoton-Detektor kommt es zum Walk-Out-Effekt. Dieser Effekt verursacht ein instabiles Verhalten, welches durch Generation von elektrisch aktiven Ladungen an den Grenzflächen zwischen Silizium und Siliziumdioxid entsteht. Die Generation der Ladungen wird durch das elektrische Feld bestimmt, welches von den Potentialen an den Elektroden der pin-Photodiode abhängt. Aufgrund des Walk-Out-Effekts können die Parameter eines Einzelphoton-Detektors, die Dunkelzählrate und die Photon-Detektionseffizienz, nur mit einer großen Unsicherheit bestimmt werden. Zur weiteren Untersuchung dieser Parameter wird ein bestehendes Modell für die Anwendung in der SOI CMOS-Technologie weiterentwickelt. Dadurch wird die theoretisch erreichbare Photon-Detektionseffizienz bestimmt und ein Weg aufgezeigt, wie diese erhöht werden kann. Diese Untersuchungsergebnisse zeigen, wie die pin-Photodiode optimiert werden kann. Der Dunkelstrom kann reduziert werden, wenn die Generation an den Grenzflächen zwischen Silizium und Siliziumdioxid reduziert wird. Darüber hinaus kann das Modell zur Beschreibung des Dunkelstroms erweitert und verbessert wer-den. Für den Betrieb als Einzelphoton-Detektor muss der Walk-Out-Effekt gemindert oder vollständig unterdrückt werden.