Das Ziel dieser Arbeit war der Aufbau mit anschließendem Testbetrieb eines Reaktor- Analyse-Systems zur Herstellung und Untersuchung des Wachstums von SiC-Einkristallen. Die Apparatur besteht aus einem industriell ausgelegten Hochtemperatur- CVD- (HTCVD-) Reaktor und einem Flugzeit-Massenspektrometer (TOF). Mit dem Aufbau ist es möglich, alle am beteiligten Prozess beteiligten Spezies ohne vorherige Kenntnis der Gaszusammensetzung simultan nachzuweisen. Die am Prozess beteiligten Spezies sind bisher kaum bekannt, obwohl nur bei eindeutiger Identifizierung der reagierenden Gasphasenspezies eine Modellvorstellung über den Ablauf der Reaktionen entwickelt werden kann. Ein solches Modell würde eine wissensbasierte Steuerung des Prozesses ermöglichen. Der Vorteil des HTCVD-Prozesses im Vergleich zu herkömmlichen CVD-Prozessen ist die höhere Temperatur, durch die eine Verringerung der Wachstumsrate durch homogene Gasphasenkeimbildung umgangen wird. Für die Untersuchung wurden in dieser Arbeit alle Komponenten der HTCVDMassenspektrometrie konstruiert, aufgebaut und in das Gesamtsystem integriert. Die Entwicklung geeigneter Untersuchungsprotokolle und die Datenauswertung waren ebenfalls wesentliche Arbeitspunkte. Zunächst wurden erste „Proof of Principle“- Experimente durchgeführt. In der ersten Versuchsreihe wurden die Präkursoren bei konstanter Temperatur in den heißen Reaktor eingeleitet und die Partikelbildung beobachtet. In einer zweiten Versuchsreihe wurden die Präkursoren in den kalten Reaktor eingeleitet und die Zersetzung als Funktion der Temperatur beobachtet. In einer weiteren Versuchsreihe wurde der Druck bei konstanter Gaszusammensetzung und Temperatur variiert und der Einfluss auf die Größe der detektierten Spezies beobachtet. Es zeigte sich, dass in den ersten beiden Versuchsreihen die gleichen Spezies beobachtet wurden. Bei höheren Drücken wurden größere Massen detektiert. Verbesserungspotenzial besteht hinsichtlich der Probenahmedüse. Sie setzt sich durch die Partikelbildung im Reaktor zu. Eine mögliche Lösung des Problems besteht darin, den Prozess bei höheren Temperaturen durchzuführen, da die Partikel dann vor dem Erreichen der Düse sublimieren. Die Ergebnisse der ersten Messungen belegen eindeutig, dass das Gesamtsystem vollständig funktionstüchtig und prinzipiell geeignet ist, den HTCVD-Prozess in-situ zu untersuchen. Es steht für weitere systematische Untersuchungen zur Verfügung. Weiterhin belegen die ersten Messungen, dass kleine SiC-Gasphasenspezies am Prozess des Kristallwachstums beteiligt sind.