Gegenstand der vorliegenden Arbeit ist die Entwicklung eines Prozesses zur Herstellung von 3 μm Mikrobumps mit einem Pitch (Mitte-zu-Mitte-Abstand) von 6 μm. In diesem Zusammenhang wird erstmalig die Eignung des Ionenstrahlätzverfahrens für einen solchen Prozess untersucht. Mikrobumps werden für kürzere Verdrahtungswege zur Kontaktierung von mehreren Mikrochips zueinander benötigt, wie es beispielsweise in der dreidimensionalen Integration, einer Aufbau- und Verbindungstechnik, angestrebt wird. Für kompaktere Aufbauten werden in den nächsten Jahren Mikrobump-Durchmesser von einem Mikrometer benötigt. Bisherige Mikrobump-Verbindungen weisen Bumpbreiten von 4 μm bis 9 μm und Mitte-zu-Mitte-Abstände von minimal 10 μm auf. Eine triviale Verkleinerung der Bumpgeometrie ist dabei nicht, wie gewünscht, möglich. Als Hauptproblem in der Gesamtherstellung erweist sich dabei die Entfernung der Metalldünnschichten zwischen den Mikrobumps, die wiederum für die galvanische Schichtabscheidung benötigt werden. Standardverfahren, basierend auf der nasschemischen Ätzung der Schichten, bewirken ungewollte Unterätzungen der Mikrobumps und somit Zuverlässigkeitsprobleme. In der vorliegenden Arbeit werden erfolgreich Mikrobumps mit einem Durchmesser von 3 μm und einem Pitch von 6 μm hergestellt. Für die Entfernung der Metalldünnschichten wurde ein Ionenstrahlätzverfahren entwickelt, mit dem Unterätzungen der Mikrobumps vermieden werden können. Dabei ist zu beachten, dass sich das entfernte Material auf den umgebenden Mikrobumps ablagern kann. Um den Einfluss des Ionenstrahlätzverfahrens zu überprüfen, wurde die Verteilung dieser Ablagerungen mit energiedispersiven Röntgenspektroskopie untersucht. Weiterführend wurde ein mathematisches Modell entwickelt, das die Bestimmung der Winkelverteilung des geätzten Materials erlaubt. Die Winkelverteilung veranschaulicht, unter welchen Winkeln sich das geätzte Material nach der Entfernung aus dem Festkörper im Raum verteilt. Unter Verwendung von Argon-Ionen und einer Ionenenergie von 300 eV wurde die Winkelverteilung für Kupfer bestimmt. Mit dieser Kenntnis lässt sich die Verteilung der Kupferatome auf den Mikrobumps für beliebige Mikrobump-Abstände vorherzusagen. Der auf das Ätzen folgende Bondprozess erlaubt eine geeignete Justage mit Platziergenauigkeiten von unter 0,5 μm und die anschließende Verlötung der Mikrobumps. Widerstandsmessungen an Viaketten und die Bestimmungen einzelner Kontaktwiderstände durch Vierpunktmessungen zeigen, dass ein elektrischer Kontakt zwischen den verbundenen Mikrobump-Paaren besteht. Das entwickelte Ionenstrahlätzverfahren ist somit für den Einsatz bei der Mikrobump-Herstellung geeignet.