Im Rahmen dieser Arbeit wurden die strukturellen und magnetischen Eigenschaften der austauschgekoppelten Schichtsysteme Fe/FeSn₂ und Fe/FeSi/Si und des mit Fe-Ionen implantierten verdünnten magnetischen Halbleiters (DMS) SiC(Fe) untersucht. Als zentrale Messmethode wurde die isotopenspezifische ⁵⁷Fe-Konversionselektronen-Mössbauerspektroskopie (CEMS), meistens in Kombination mit der ⁵⁷Fe-Sondenschichttechnik, im Temperaturbereich von 4.2-300 K eingesetzt. CEMS ist eine der wenigen Methoden, mit der die Spinstruktur in dünnen antiferromagnetischen (AF)-Schichten bestimmt werden kann. Weitere Messmethoden waren Röntgenbeugung (XRD), Elektronenbeugung (LEED, RHEED), SQUID-Magnetometrie und FMR (Ferromagnetische Resonanz). Im ersten Teil dieser Arbeit wurden die Eigenschaften von dünnen AF FeSn₂(001)-Filmen und des Exchange-Bias-Systems Fe/FeSn₂(001) auf InSb(001) untersucht. Unter Verwendung von ⁵⁷FeSn₂-Sondenschichten und CEMS konnten sowohl die Fe-Spinstruktur als auch der Temperaturverlauf des magnetischen Hyperfeinfelds B_hf in FeSn₂ beobachtet werden. Das Aufbringen des Fe-Films auf den FeSn₂-Film erzeugt in letzterem eine hohe senkrechte Spinkomponente an der Fe/FeSn₂-Grenzfläche. Weiter von ihr entfernt drehen sich die Fe-Spins des AF wieder in die Probenebene hinein. Die beobachtete Spinrotation im AF erfolgt vermutlich durch den magnetoelastischen Effekt aufgrund der Gitterfehlanpassung zwischen Fe- und FeSn₂-Filmen. ⁵⁷Fe-CEMS lieferte weiterhin einen Hinweis auf eine Korrelation zwischen dem Betrag des Exchange-Bias-Feldes |H_e| und dem Anteil magnetischer Defekte im FeSn₂. Proben mit einer höheren Defektdichte zeigen eine Zunahme von |H_e|. Die Resultate unterstützen somit das "Domain-State-Modell" von Nowak et al. Temperaturabhängige CEMS-Messungen lieferten Informationen zur Spindynamik im AF. Die gefundenen Übergangstemperaturen T_B* wurden als superparamagnetische Blocking-Temperaturen interpretiert, die höher liegen als die magnetometrisch gemessene Blocking-Temperatur T_B des Exchange-Bias-Effekts. Der zweite Teil dieser Arbeit behandelt die indirekte Austauschkopplung in Fe/FeSi/Si/FeSi/Fe-Vielfachschichten und FeSi-Diffusionsbarrieren. Das Ziel hierbei war es, möglichst Fe-freie Si-Zwischenschichten zu erhalten. Die CEMS-Resultate zeigen, dass die Interdiffusion des Eisens ab einer Dicke von t_FeSi=10-12 Å der "unteren" FeSi-Schichten erfolgreich unterbunden werden konnte. Für dickere FeSi-Schichten (t_FeSi ≈ 20 Å) wurde die Ausbildung der metastabilen defektbehafteten c-FeSi Phase beobachtet. Erstmals wurde eine oszillatorische antiferromagnetische Austauschkopplung zwischen den Fe-Schichten als Funktion der FeSi-Dicke mit einer Periode von ≈ 6 Å gefunden, in qualitativer Übereinstimmung mit der Theorie von Herper et al.. Im dritten Teil dieser Arbeit wurde versucht, mittels Ionenimplantation von ⁵⁷Fe in SiC(0001)-Wafer einen verdünnten magnetischen Halbleiter herzustellen. Für Dosen ≥ 2 · 10¹⁶ Ionen cm^-2 nach thermischer Behandlung der Proben fand man mit Hilfe von CEMS, XRD und TEM (Transmissions-Elektronenmikroskopie) superparamagnetische Fe₃Si-Nanocluster, die epitaktisch in die SiC-Matrix eingebettet waren. Neben Fe₃Si wurden keine zusätzlichen Phasen beobachtet. Für kleinste Dosen von 1 · 10¹⁶ Ionen cm^-2 gaben die CEM-Spektren bei 4.2 K Hinweise auf Ferromagnetismus und die Abwesenheit von Nanopartikeln, also die erfolgreiche Erzeugung eines DMS. Die obere Grenze, unter der es keine Ausscheidung sekundärer Phasen gibt, wurde somit auf 1-3 at. % Fe eingegrenzt.