Ein Beitrag zu spannungsfesten, leckstromarmen Hochgeschwindigkeitstransistoren auf InP

Molekularstrahlepitaxie, Technologie und Modellierung von InP-basierenden Heterostrukturfeldeffekttransistoren mit reduzierten Stoßionisationsraten und additiven Löcher- und Elektronenbarrieren zur Erzielung kleinster Leckströme und grössten Durchbruchsspannungen bei höchsten Schaltgeschwindigkeiten

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Auer, U.H., n.d. Ein Beitrag zu spannungsfesten, leckstromarmen Hochgeschwindigkeitstransistoren auf InP.
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