• Thesis
  • Ein Beitrag zu spannungsfesten, leckstromarmen Hochgeschwindigkeitstransistoren…

Ein Beitrag zu spannungsfesten, leckstromarmen Hochgeschwindigkeitstransistoren auf InP

Molekularstrahlepitaxie, Technologie und Modellierung von InP-basierenden Heterostrukturfeldeffekttransistoren mit reduzierten Stoßionisationsraten und additiven Löcher- und Elektronenbarrieren zur Erzielung kleinster Leckströme und grössten Durchbruchsspannungen bei höchsten Schaltgeschwindigkeiten

Preview

Category

Translated title:
InP-based heterostructure field-effect transistor (English)
Date Created:
02.12.1999
Date of doctoral degree:
02.12.1999
URN:
urn:nbn:de:hbz:464-duett-05212001-0810529
PURL:
http://purl.oclc.org/NET/duett-05212001-081052
Language:
German
Type of Resource:
Text
Keywords:
Transistormodell; InP; Gate-Strom; Durchbruchspannung; InGaAs-Kanal; Transistor
Collection:
E-Dissertations
Dewey Decimal Classification:
620 Engineering
Subject categories of the Deutsche Nationalbibliografie:
620 Engineering & allied operations
Hosting institution:
Faculty of Engineering, Engineering and Information Technology

Cite

Citation style:
Could not load citation form.

Rights

Use and reproduction:
All rights reserved