Es wurden Diamantfilme in einer DC-Lichtbogenanlage während eines CVD-Prozesses abgeschieden. Die dazu erforderlichen Maßnahmen, wie z.B. Messung und Kontrolle der Substrattemperatur und Stabilisierung des Plasmas werden beschrieben. Durch Optimierung des Verfahrens ist es erstmals auch in der beschriebenen Anlage gelungen, das Standardmaterial Silicium mit Diamant zu beschichten. Prozeßparameter wurden variiert und die Ergebnisse dieses eher unüblichen Verfahrens zur Diamantsynthese werden mit den Ergebnissen der Hauptbeschichtungsverfahren, wie z.B. dem mikrowellenunterstützten CVD-Verfahren und dem Hot-Filament-CVD-Verfahren verglichen.