Dipl. Phys. Thorsten Reimann :

Monolithische Integration von Heterostruktur-Bipolartransistoren und Elektroabsorptionsmodulatoren auf InP

Dissertation angenommen durch: Universität Duisburg-Essen, Campus Duisburg, Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Abteilung Elektrotechnik und Informationstechnik, 2004-02-11

BetreuerIn: Prof. Dr. rer. nat. Franz-Josef Tegude , Universität Duisburg-Essen, Campus Duisburg, Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Abteilung Elektrotechnik und Informationstechnik

GutachterIn: Prof. Dr. rer. nat. Franz-Josef Tegude , Universität Duisburg-Essen, Campus Duisburg, Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Abteilung Elektrotechnik und Informationstechnik
GutachterIn: Prof. Dr. rer. nat. Dieter Jäger , Universität Duisburg-Essen, Campus Duisburg, Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Abteilung Elektrotechnik und Informationstechnik

Schlüsselwörter in Deutsch: Optoelektronik, Integration, Heterostruktur-Bipolartransistor, HBT, Elektroabsorptionsmodulator, EAM, HBT-EAM, InP, InGaAs, Wellenleiter
Schlüsselwörter in Englisch: optoelectronics, integration, heterojunction bipolar transistor, HBT, electroabsorption modulator, EAM, HBT-EAM, InP, InGaAs, waveguide

  
   
 Klassifikation     
    Sachgruppe der DNB: 620 Ingenieurwissenschaften
Physics and Astronomy Classification Scheme (PACS): 85.60.-q 85.30.Pq
  
   
 Abstrakt     
   

Abstrakt in Deutsch

In dieser Arbeit wird ein Ansatz für die optoelektronische Integration vorgestellt, mit dem sich Heterostruktur-Bipolartransistoren (HBT) und Wellenleiter-Elektroabsorptionsmodulatoren (EAM) kombinieren lassen. Dazu werden die notwendigen epitaktischen Schichtsysteme der Einzelbauelemente basierend auf III/V-Halbleiter ineinander integriert. Der Ansatz bietet den Vorteil einzelne Epitaxieschichten mehrfach zu nutzen, um ein technologisch leichter zu verarbeitendes Schichtsystem zu erhalten. Des Weiteren eröffnet sich neben der Herstellung der Einzelbauelemente HBT und EAM auch die Realisierung eines vielseitigen Bauelements, das sowohl elektrisch als auch optisch schalten kann (HBT-EAM). Dies entspricht einem EAM mit integriertem Verstärker. Vorgestellt werden die Epitaxie, die technologische Herstellung und Messergebnisse.

Abstrakt in Englisch

This work explains a method for optoelectronic integration of an heterojunction bipolar transistor (HBT) and a waveguide electroabsorption modulator (EAM). For this the epitactical layers of the individual devices based on III/V-semiconductors are merged into each other. The method has the advantage to reuse layers and results in a layer stack, which is easier to process technologically. Additionally to the manufacturing of the individual devices HBT and EAM, this integration enables a multifunctional device, which works in the optical and electronic regime simultaneously (HBT-EAM). This corresponds to an EAM with integrated amplifier. Presented are epitaxy, technological processing and measurement results.