| Investigation of SiGe/Si heterostructures on SIMOX substrates for CMOS applications |
Schlüsselwörter:
SiGe, LPCVD-SiGe-epitaxy, SiGe-buffer, SIMOX-substrates, CMOS, MOSFET, High Resolution X-Ray Diffraction (HRXRD), grazing incidence x-ray reflectometry, process integration
SiGe, LPCVD-SiGe-Epitaxie, SiGe-Puffer, SIMOX-Substrate, CMOS, MOSFET, Hochauflösende Röntgenbeugung, Röntgenreflektometrie, Prozeßintegration
Sachgruppe der DNBAbstract
In this thesis the use of SiGe/Si-heterostructures was investigated to
improve the high frequency characteristics of MOSFETs of an existing
high frequency Si-CMOS-technology on SIMOX-substrates. Following work
was done: process development of SiGe/Si-epitaxy on SIMOX-substrates,
characterisation of SiGe/Si-heterostructures with X-rays, investigation
of the fabrication of SiGe-buffers and the technology development and
process integration to fabricate SiGe-MOSFETs on SIMOX-substrates.
In dieser Dissertation wurde, aufbauend auf einer
Hochfrequenz-Si-CMOS-Technologie auf SIMOX-Substraten, untersucht,
inwieweit sich die Hochfrequenzeigenschaften von MOSFETs durch die Verwendung von SiGe/Si-Heterostrukturen verbessern lassen. Schwerpunkte dieser Arbeit waren die Entwicklung der SiGe/Si-Epitaxie auf SIMOX-Substraten, die Charakterisierung der SiGe/Si-Heterostrukturen auf
SIMOX-Substraten mit Röntgenmethoden, die Untersuchungen zur Herstellung von SiGe-Pufferschichten sowie die Technologieentwicklung und Prozeßintegration zur Herstellung von SiGe-MOSFETs auf SIMOX-Substraten.
| Betreuer | Zimmer, Günter; Prof. Dr. |
| Gutachter | Zimmer, Günter; Prof. Dr. |
| Gutachter | Tegude, Franz-Josef; Prof. Dr. |
| Upload: | 2000-09-29 |
| URL of Theses: | http://www.ub.uni-duisburg.de/diss/diss0034/trui.pdf |