Auer, Uwe Horst

Ein Beitrag zu spannungsfesten, leckstromarmen Höchstgeschwindigkeitstransistoren auf InP

InP-based heterostructure field-effect transistor

Thesis

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Schlüsselwörter:

Transistor, Transistormodell, InP, InGaAs-Kanal, Gate-Strom, Durchbruchspannung

Sachgruppe der DNB
37 Elektrotechnik

Doctoral Dissertation accepted by: University of Duisburg , Department of Chemistry, 1999-12-02

Abstract

Molekularstrahlepitaxie, Technologie und Modellierung von InP-basierenden Heterostrukturfeldeffekttransistoren mit reduzierten Stoßionisationsraten und additiven Löcher- und Elektronenbarrieren zur Erzielung kleinster Leckströme und grössten Durchbruchsspannungen bei höchsten Schaltgeschwindigkeiten

Betreuer Tegude, Franz-Josef; Prof. Dr. rer.nat
Gutachter Tegude, Franz-Josef; Prof. Dr. rer.nat
Gutachter Jäger, Dieter; Prof. Dr. rer.nat


Upload: 2000-01-17
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