Gas Sensor based on Transition Metal Dichalcogenides for Detection of Nitrogen dioxide and Ammonia
In times of increasing environmental awareness due to air pollution, gas sensors became essential for monitoring air composition. At the same time, there is growing interest in innovative sensor systems that are more stable against contamination, smaller, flexible, and with low power consumption. The aim is an easy application in portable hand-held devices to monitor health burden in cities. The next step could be an integration in smart living systems or functional clothes. 2D materials theoretically bring all these advantages, especially TMDs already showed promising gas sensitivity to various gases - even at low temperatures.
Since the working principle of such TMD-based gas sensors is not completely understood, two different theoretical models based on the adsorption mechanisms physisorption and chemisorption are contrasted. With knowledge about the sensing mechanism, estimations regarding optimum sensor thicknesses and their performance can be made. The results of theoretical observation are taken into account of the following device fabrication with a gas-sensitive layer based on MoS2. Here, it is necessary to develop CMOS-compatible process steps at the 200 mm scale. Using a low-temperature ALD process as deposition technology allows fabrication of sensor elements, that are easy to be integrated in industrial scale. The gas sensors are characterized electrically, and their sensitivity to NH3 and NO2 is investigated.
While in principle both mechanisms seem possible, for the parameters used in this work, the theoretically calculated values of the sensor response for the model based on physisorption are much closer to the practically measured values. In addition to the valid result of a technology for MoS2-based CMOS-compatible devices, the functionality of the fabricated gas sensors could be demonstrated for NH3 and NO2 at room temperature.
Since the working principle of such TMD-based gas sensors is not completely understood, two different theoretical models based on the adsorption mechanisms physisorption and chemisorption are contrasted. With knowledge about the sensing mechanism, estimations regarding optimum sensor thicknesses and their performance can be made. The results of theoretical observation are taken into account of the following device fabrication with a gas-sensitive layer based on MoS2. Here, it is necessary to develop CMOS-compatible process steps at the 200 mm scale. Using a low-temperature ALD process as deposition technology allows fabrication of sensor elements, that are easy to be integrated in industrial scale. The gas sensors are characterized electrically, and their sensitivity to NH3 and NO2 is investigated.
While in principle both mechanisms seem possible, for the parameters used in this work, the theoretically calculated values of the sensor response for the model based on physisorption are much closer to the practically measured values. In addition to the valid result of a technology for MoS2-based CMOS-compatible devices, the functionality of the fabricated gas sensors could be demonstrated for NH3 and NO2 at room temperature.
In Zeiten des steigenden Klimabewusstseins aufgrund von Luftverschmutzung sind Gassensoren aus der Überwachung der Luftzusammensetzung nicht mehr wegzudenken. Gleichzeitig steigt das Interesse an innovativen Sensorsystemen, die stabiler gegen Vergiftung, kleiner und flexibler sind, sowie einen geringen Leistungsverbrauch aufweisen. Das Ziel ist eine einfache portable Anwendung zur Überwachung der Gesundheitsbelastung in Städten. Der nächste Schritt könnte die Integration in intelligente Wohnsysteme oder funktionelle Kleidung sein. 2D-Materialien sind dafür theoretisch geeignet, insbesondere TMDs zeigten bereits vielversprechende Gassensitivität gegenüber verschiedenen Gasen - auch bei niedrigen Temperaturen.
Da das Funktionsprinzip solcher TMD-basierter Gassensoren noch nicht vollständig verstanden ist, werden zwei theoretische Modelle basierend auf den Adsorptionsmechanismen Physisorption und Chemisorption gegenübergestellt. Mit dem Funktionsprinzip können Abschätzungen bezüglich optimaler Schichtdicken und deren Performanz getroffen werden. Die theoretischen Ergebnisse werden in die Herstellung von Bauelementen mit einer gassensitiven Schicht aus MoS2 einbezogen. Dafür ist es notwendig, CMOS-kompatible Prozessschritte im 200 mm-Maßstab zu entwickeln. Unter Verwendung eines ALD-Prozesses ist eine industrielle Herstellung der Sensorelemente leicht zu realisieren. Die Gassensoren werden elektrisch charakterisiert und auf ihre Sensitivität gegenüber NH3 und NO2 untersucht.
Auch wenn prinzipiell beide Ansätze möglich sind, liegen für die in dieser Arbeit verwendeten Parameter, die theoretisch berechneten Werte der Sensorantwort für das Modell auf Basis von Physisorption deutlich näher an den praktisch gemessenen Werten. Neben dem Ergebnis für eine Technologie für MoS2-basierte CMOS-kompatible Bauteile, konnte die Funktionalität der gefertigten Gassensoren gegenüber NH3 und NO2 bei Raumtemperatur gezeigt werden.
Da das Funktionsprinzip solcher TMD-basierter Gassensoren noch nicht vollständig verstanden ist, werden zwei theoretische Modelle basierend auf den Adsorptionsmechanismen Physisorption und Chemisorption gegenübergestellt. Mit dem Funktionsprinzip können Abschätzungen bezüglich optimaler Schichtdicken und deren Performanz getroffen werden. Die theoretischen Ergebnisse werden in die Herstellung von Bauelementen mit einer gassensitiven Schicht aus MoS2 einbezogen. Dafür ist es notwendig, CMOS-kompatible Prozessschritte im 200 mm-Maßstab zu entwickeln. Unter Verwendung eines ALD-Prozesses ist eine industrielle Herstellung der Sensorelemente leicht zu realisieren. Die Gassensoren werden elektrisch charakterisiert und auf ihre Sensitivität gegenüber NH3 und NO2 untersucht.
Auch wenn prinzipiell beide Ansätze möglich sind, liegen für die in dieser Arbeit verwendeten Parameter, die theoretisch berechneten Werte der Sensorantwort für das Modell auf Basis von Physisorption deutlich näher an den praktisch gemessenen Werten. Neben dem Ergebnis für eine Technologie für MoS2-basierte CMOS-kompatible Bauteile, konnte die Funktionalität der gefertigten Gassensoren gegenüber NH3 und NO2 bei Raumtemperatur gezeigt werden.
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