@Article{duepublico_mods_00073800,
  author = 	{Horn-von Hoegen, Michael},
  title = 	{Widerstand eines Atoms: Elektromigration im Miniaturformat},
  journal = 	{Naturwissenschaften -  Physik: Energieumwandlungen an Oberfl{\"a}chen},
  year = 	{2008},
  number = 	{32},
  pages = 	{8--21},
  abstract = 	{Mit dem immer weiter voranschreitenden Trend, Computer bei gleichzeitig zunehmender Leistungsf{\"a}higkeit schrumpfen zu lassen, wachsen die Herausforderungen an ihre Mini-Bauelemente. So sind die Milliarden von Transistoren auf einem Chip mit elektrischen Leiterbahnen aus Metallen wie Aluminium oder Kupfer verbunden. Aufgrund ihres schrumpfenden Querschnitts sind diese durch die so genannte Elektromigration gef{\"a}hrdet, die durch Streuung der Leitungselektronen an rauen Oberfl{\"a}chen zus{\"a}tzlich verst{\"a}rkt wird.},
  note = 	{Druckausgabe: Essener UNIKATE 32, 2008, ISBN 978-3-934359-31-1},
  note = 	{Copyright: Universit{\"a}t Duisburg-Essen, SSC Science Support Centre},
  issn = 	{0944-6060},
  doi = 	{10.17185/duepublico/73800},
  url = 	{https://duepublico2.uni-due.de/receive/duepublico_mods_00073800},
  url = 	{https://doi.org/10.17185/duepublico/73800},
  url = 	{https://doi.org/10.17185/duepublico/73113},
  url = 	{https://doi.org/10.17185/duepublico/23613},
  file = 	{:https://duepublico2.uni-due.de/servlets/MCRFileNodeServlet/duepublico_derivate_00073559/Unikate_2008_032_008.pdf:PDF},
  language = 	{de}
}