Diese Arbeit untersucht das Potenzial kostengünstige Leiterplattentechnik (PCT) für das Packaging von Millimeter-Wellen-Photodioden (PD) als Alternative zu den üblicherweise verwendeten Dünn-/ Dickschicht-Substraten oder co-fired Keramiken einzusetzen. Zunächst werden die physikalischen Grenzen dieser PCT-Technologie hinsichtlich eines Einsatzes bei höchsten Frequenzen untersucht. Die materialbedingten Verlustwinkel im Millimeter-Wellen-Bereich aber auch Abstrahlverluste im Zusammenhang mit verschiedenen planaren Schaltungs¬konzepten werden sowohl theoretisch als auch experimentell untersucht. Zum Einsatz kommen hierbei neben konventionellen planaren Übertragungsleitungen (PTL), wie Mikrostreifen und Grounded-Coplanar-Waveguides (GCPW), auch innovative Substrat-Integrierte-Wellenleiter (SIW). Weiterhin wird der Einfluss prozessbedingter Parameter, wie die minimal erreichbare Strukturgröße sowie Fertigungs¬toleranzen, auf das Hochfrequenzverhalten analysiert. Die Arbeit wird zeigen, dass Durchkontaktierungen (engl. Via Holes) eine fundamentale Rolle spielen. Unabhängig von anderen Einflussgrößen wie den dielektrischen Verlusten, den Abstrahlverlusten oder Fertigungstoleranzen begrenzt die minimal erreichbare Strukturgröße der Vias das Hochfrequenz¬verhalten der PCT-Technologie. Es wird theoretisch und experimentell nachgewiesen, dass die Vias für GCPW und SIW auf PCT-Technologie erforderlich sind, um geringe Ausbreitungsverluste zu gewährleisten, sowie um Resonanzen im Übertragungsverhalten und elektrischen Überkoppeln zwischen benachbarten Leitungen zu unterdrücken. Die Arbeit zeigt, dass die aktuelle PCB-Technologie die Entwicklung von planaren Hochfrequenz-Schaltungen erlaubt, die bis zur oberen Grenze des W-Bands (ca. 110 GHz) anwendbar sind. Da Mikrostreifenleitungen bekanntermaßen erhöhte Abstrahlverluste im Millimeterwellen-Bereich aufweisen, werden für technologische Realisierungen GCPWs vorgezogen. GCPW bieten gegenüber Mikrostreifenleitungen auch weitere Vorteile, wie leicht zugängliche Erdungsebenen, eine erhöhte Gestaltungsfreiheit und einen deutlich erweiterten Abstimmbereich der Leitungs-Impedanz. Basierend auf der PCT-Technologie und einer planaren GCPW-Schaltung wird im Folgenden ein neuartiger Ansatz für die Anbindung von hochfrequenten InP-basierten Photodioden-Chips an einen Rechteckhohlleiter entwickelt. Ein besonderes Merkmal des in dieser Arbeit vorgeschlagenen Integrationsansatzes besteht darin, dass sich das Photodioden-Modul ohne eine mechanische Modifikation des Hohlleiters realisieren lässt, was hinsichtlich Montageprozess und -kosten einen deutlichen Vorteil darstellt. Die Arbeit zeigt auch, dass die Verwendung von Laminaten mit geringer Feuchtigkeitsaufnahme weiterhin die Möglichkeit eröffnet, quasi-hermetische Module ohne die sonst erforderlichen Radome zu realisieren. Da eine wesentliche Anwendung für solche hochfrequenten Photodioden-Module im Bereich der Funkkommunikation und speziell für die Entwicklung von Punkt-zu-Punkt-Funkverbindungen im E-Band (60-90 GHz) liegt, konzentriert sich diese Arbeit auf die Entwicklung einer PCT-Integrationstechnologie für E-Band-Photodioden-Module mit WR-12 Hohlleiter. Die Arbeit beschreibt das Design und die Herstellung der GCPW-PCT-Schaltung. Die theoretisch simulierten Streuparameter der GCPW-PCT-Schaltung werden mit experimentellen Werten verglichen, bevor im Anschluss näher auf die erfolgreiche technologische Realisierung eines Prototyp-Photodioden-Moduls mit WR-12-Hohlleiterausgang eingegangen wird. Die Funktionalität des entwickelten PD-Moduls wird durch Einsatz in einer 70-GHz-Funkstrecke nachgewiesen. Es gelingt die Funkübertragung eines 1-Gbit/s-Datensignals im regulierten 70-GHz-Frequenzbereich (71-76 GHz). Die Arbeit zeigt im Anschluss weitere Prototypen, welche die Integration von hausintern entwickelten Photodioden und kommerziellen RF-Verstärkern erlauben, sowie Lösungen zur Reduzierung des Signalleistungsverlusts. Obwohl die verwendeten GCPW im Vergleich zu Mikrostreifenleitungen geringere Abstrahlverluste aufweisen, kommt es bei hohen Frequenzen doch zu einer unerwünschten Dämpfung durch Strahlungs- und ohmsche Verluste aufgrund der hohen Stromdichten in der GCPW-Schaltung. Zur weiteren Reduzierung dieser Verluste werden in dieser Arbeit daher erstmalig SIW-PCB-Schaltungen für die Integration von Millimeterwellen-Photodioden vorgeschlagen und entwickelt. Die Vorteile dieser innovativen Leitungsstruktur hinsichtlich der elektrischen Dämpfung im Millimeterwellen-Bereich werden theoretisch und experimentell untersucht. Es kann gezeigt werden, dass die SIW-PCT gegenüber den GCPW-PCT signifikant geringere Verluste aufweisen, was insbesondere für den Einsatz in planaren Hochfrequenz-Schaltungen mit vergleichsweise langen Verbindungsleitungen vorteilhaft ist. Die Arbeit präsentiert eine neue Integrationstechnologie auf Basis planarer SIW-PCB-Schaltungen für quasi-hermetische PD-Module mit In-Package-Antennen. Es werden kompakte, verlustarme und quasi-hermetische SIW-basierte Lösungen für 60-GHz-PD-Module hergestellt und experimentell untersucht. Abschließend wird die Eignung der SIW-PCB-Technologie für die Entwicklung zukünftiger, verlustarmer und kostengünstiger photonischer Millimeter-Wellen-Funktransmitter diskutiert.