Bisherige Arbeiten zur elektrischen Charakterisierung dünner und dünnster Wismutfilme erfolgten üblicherweise entweder an epitaktischen Filmen auf einem halbleitenden Siliziumsubstrat oder in Form von nicht-epitaktischen Filmen auf verschiedenen Substraten wie Quarzglas oder Glimmer. Im Rahmen der vorliegenden Arbeit entstand eine Ultrahochvakuumanlage, die neben der Präparation der Filme unter reproduzierbaren Bedingungen auch die elektrischen Messungen unter Ultrahochvakuum (UHV) - Bedingungen ermöglichte. Damit konnte im Gegensatz zu vielen bisherigen Arbeiten der Einfluss der Oxidation des Filmes an Luft ausgeschlossen werden. Weiterhin wurden die Untersuchungsmöglichkeiten an dünnen Wismutfilmen deutlich erweitert, indem erstmalig epitaktische Filme auf einem isolierenden Substrat gewachsen wurden. Zu diesem Zweck wurden NaCl - Einkristalle in einer neu entwickelten Präparationstechnik durch kurzzeitigen Kontakt mit Wasser bis hin zu einer atomar glatten Oberfläche geätzt. Auf dieser Fläche konnte schließlich Wismut epitaktisch auf NaCl aufgewachsen werden. Um Vergleichbarkeit mit bisherigen Veröffentlichungen herzustellen, wurden die Systeme Bi auf Si und nicht - epitaktisches Bi auf verschiedenen Substraten in die elektrischen Leitfähigkeitsmessungen einbezogen.