@PhdThesis{duepublico_mods_00041090,
  author = 	{Patt, Marten Christopher},
  title = 	{Bulk and surface sensitive energy-filtered photoemission microscopy using synchrotron radiation for the study of resistive switching memories},
  year = 	{2016},
  month = 	{Aug},
  day = 	{01},
  abstract = 	{In dieser Arbeit wird die Anwendbarkeit von energiegefilterter Photoemissionsmikroskopie zur Analyse zuk{\"u}nftiger elektronischer Bausteine f{\"u}r die Informationstechnologie untersucht. Die langfristige Perspektive ist dabei die Untersuchung von Schaltdynamiken in nichtfl{\"u}chtigen widerstandsbasierten Speichern auf Oxid-Basis. Diese werden als eine vielversprechende Komponente in der Entwicklung leistungsf{\"a}higerer Prozessoren oder Speicher gesehen, seit die Fortschritte der klassischen Silizium oder Magnetismus basierten Technologien ihre physikalischen Grenzen erreichen. Dennoch h{\"a}ngen die Effizienz und Funktionalit{\"a}t geeigneter Materialsysteme stark von Qualit{\"a}t und den Eigenschaften ihrer Ober{\"a}chen und Grenzfl{\"a}chen ab. Die energiegefilterte Photoemissionsmikroskopie erm{\"o}glicht eine ortsaufgel{\"o}ste chemische Studie dieser Systeme, insbesondere wenn sie mit hoch-brillanten Synchrotron Lichtquellen kombiniert wird. Die hohen Photonenintensit{\"a}ten werden notwendig, wenn charakteristische kernnahe Elektronenzust{\"a}nde mit hoher Orts- und Energieaufl{\"o}sung untersucht werden sollen. Studien an auf Valenzband{\"a}nderungen in Strontium-Titanat basierenden Metall-Isolator-Metall Bauelementen, welche ein Modellsystem f{\"u}r widerstandsbasierte Speicher darstellen, haben gezeigt, dass Ortsaufl{\"o}sungen um 100 nm und Energieaufl{\"o}sungen um 100 meV ben{\"o}tigt werden, um die relevanten {\"A}nderungen bei jedem Schaltzyklus sichtbar zu machen. Daher wird in dieser Arbeit ein gro{\ss}er Wert auf die Bestimmung der daf{\"u}r ben{\"o}tigten experimentellen Parameter gelegt. Eine weitere Herausforderung stellt die Untersuchung der funktionalen Schichten solcher Bauelemente durch ihre Top-Elektrode hindurch dar. Der Einsatz harter R{\"o}ntgenstrahlung erm{\"o}glicht die Verwendung von Photoelektronen mit hoher kinetischer Energie, die eine bis zu zehnfach gr{\"o}{\ss}ere Informationstiefe bieten. In dieser Arbeit wird zum ersten Mal gezeigt, mit welcher Ortsaufl{\"o}sung chemisch unterschiedliche Regionen durch eine bis zu 15 nm dicke Deckschicht abgebildet werden k{\"o}nnen. Mikroskopierelevante Themen wie Transmission und Aberrationen werden mit Hinblick auf die Verwendung hoch energetischen Elektronen diskutiert und durch Berechnungen veranschaulicht.},
  note = 	{<p>Patt, Marten Christopher: Bulk and surface sensitive energy-filtered photoemission microscopy using synchrotron radiation for the study of resistive switching memories. J{\"u}lich: Forschungszentrum J{\"u}lich GmbH, Zentralbibliothek, 2016. ISBN 978-3-95806-130-9 (Broschur). -{\&}{\#}xa0; Dissertation, Universit{\"a}t Duisburg-Essen, 2016</p>

<p>(Schriften des Forschungszentrums J{\"u}lich / Reihe Schl{\"u}sseltechnologien - Key Technologies; 122) - ISSN 1866-1807</p>

<p><a href="https://hdl.handle.net/2128/10192">https://hdl.handle.net/2128/10192</a></p>},
  url = 	{https://duepublico2.uni-due.de/receive/duepublico_mods_00041090},
  file = 	{:https://duepublico2.uni-due.de/servlets/MCRFileNodeServlet/duepublico_derivate_00041280/Schluesseltech_122.pdf:PDF},
  language = 	{en}
}