DuEPublico 2

Dies ist unser neues Repositorium, derzeit für E-Dissertationen und ausgewählte weitere Publikationen. Weitere Informationen...

Dichtefunktional-Berechnungen zur Dotierung von Zinkoxid

Gutjahr, Johann

In dieser Arbeit wurde die Dotierung von ZnO-Materialien mit der Dichtefunktionaltheorie (DFT) untersucht. Es wurden verschiedene DFT-Funktionale angewendet, um die Unterschiede und Fehler herauszufinden. Aufgrund des großen Interesses an p-leitendem ZnO-Material und der uneinheitlichen Aussagen in der Forschungsliteratur bezüglich der Möglichkeiten des Erreichens der p-Leitfähigkeit durch die Stickstoffdotierung liegt der Fokus dieser Arbeit auf den Untersuchungen des N-Defekts in ZnO. Darüber hinaus wurde auch die n-Dotierung von dem ZnO-Festkörper untersucht. In diesem Fall wurden die Aluminium- und Bor-Defekte verglichen.

A big interest currently exists in finding p-type conductivity in ZnO. The literature on this subject being rather controversial whether nitrogen can lead to p-conductivity or not. This study is focused on the N defect in ZnO performing extensive calculations based on density functional theory (DFT) using different functionals. In adition, the n-type conductivity for the case of aluminium and boron defects was also studied. I start with the determination of the most stable lattice site at which the nitrogen impurity can be incorparated in ZnO. The N impurity was found the most stable species under the usual growth conditions. This knowledge about the most stable incorporation site provides the justification for the experimentalists’ assignment of their observed deep charge transfer level (0/−) to the NO impurity. Therefore, I focus on the NO impurity in various ZnO structures.

Share and cite

Citation style:

Gutjahr, Johann: Dichtefunktional-Berechnungen zur Dotierung von Zinkoxid. 2014.

Rights

Use and reproduction:
All rights reserved

Export