@PhdThesis{duepublico_mods_00031965,
  author = 	{Busch, Claudia},
  title = 	{Metalloxidische D{\"u}nnschichttransistoren aus Niedertemperaturprozessen},
  year = 	{2013},
  month = 	{Sep},
  day = 	{27},
  abstract = 	{Um gro{\ss}fl{\"a}chige, mechanisch flexible, elektronische Bauelemente und Schaltungen herzustellen, m{\"u}ssen halbleitende Schichten auf flexiblen Substraten abgeschieden werden k{\"o}nnen. Dies verlangt nach Verfahren, die keine hohe thermische Belastung f{\"u}r das, in der Regel aus Kunststoff bestehende, Substrat mit sich bringen und dennoch zu guten elektrischen Transporteigenschaften der Schicht f{\"u}hren.

In der vorliegenden Arbeit sind erstmals D{\"u}nnschichttransistoren hergestellt mit halbleitenden Schichten aus Nanopartikeln gezeigt worden. Diese Partikel sind direkt aus der Gasphase abgeschieden worden, was einen Prozess ohne jegliche L{\"o}sungsmittel und ohne jegliches Heizen des Substrates erm{\"o}glicht. Des Weiteren ist ein neuartiger Prozess untersucht worden, durch welchen halbleitende Zinkoxidschichten aus der L{\"o}sung abgeschieden werden k{\"o}nnen. Dabei wird der genutzte fl{\"u}ssige Precursor durch einen besonders niedrigen Temperaturschritt umgesetzt. Die ben{\"o}tigte Temperatur liegt nur knapp {\"u}ber einhundert Grad. Verschiedene Versuche zur Optimierung der Schichten sind unternommen worden, um die elektrischen Schichteigenschaften zu verbessern. Dadurch ist die optimale L{\"o}sungskonzentration, Umsetztemperatur und Liegezeit nach dem Lackschleudern ermittelt worden. F{\"u}r die entsprechenden Untersuchungen sind mit den Schichten D{\"u}nnschichttransistoren hergestellt und diese elektrisch charakterisiert worden. Ebenfalls ist untersucht worden, wie sich der Einfluss von unterschiedlichen Temperatmosph{\"a}ren und synthetischer Luft auf das Transistorverhalten niederschl{\"a}gt. Durch Anwendung und Erweiterung eines Hoppingmodells ist der Leitungsmechanismus in den halbleitenden Schichten analysiert worden. Die Ergebnisse geben Anlass zu der These, dass je nach Behandlung zwei unterschiedliche Donatorzust{\"a}nde zur Leitf{\"a}higkeit des Materials beitragen.

Bei wasserstoffreicher Temperung wird vermutlich interstitieller Wasserstoff in die Schicht eingebaut, bei stickstoffreicher Atmosph{\"a}re bildet sich hingegen vermutlich Zn{\$}{\_}i{\$}-N{\$}{\_}O{\$}. Dies hat auch Konsequenzen auf die Stabilit{\"a}t der Bauteile.},
  url = 	{https://duepublico2.uni-due.de/receive/duepublico_mods_00031965},
  file = 	{:https://duepublico2.uni-due.de/servlets/MCRFileNodeServlet/duepublico_derivate_00033724/Busch_C_Diss.pdf:PDF},
  language = 	{de}
}