Entwicklung einer Planarisierungstechnologie einschließlich Chemisch Mechanischen Polierens zur Fertigung hochauflösender Flächenlichtmodulatoren

A planarization technology for high resolution spatial light modulators with chemical mechanical polishing was developed in this work. Smallest differences in height and steps in the second metallization layer are reproduced in the mirror surface of the light modulators and influence their properties of reflection. Theoretical and practical investigations of the polishing behaviour of different layer materials and topologies is the foundation for the integration of the planarization steps in a high voltage CMOS process. New design- and production rules were derived from results of investigation of relationships between chip layout, deposition, etch and CMP. A part of the technology for the production of large image generating systems was simplified and improved with chemical mechanical polishing. Inhalt dieser Arbeit war die Entwicklung einer Planarisierungstechnologie für hochauflösende Flächenlichtmodulatoren mit Hilfe des Chemisch-Mechanischen Polierens (CMP). Schon geringste Höhenunterschiede und Stufen in der zweiten Metallisierungsebene bilden sich auf der Spiegeloberfläche der Lichtmodulatoren ab und beeinflussen deren Reflexionsverhalten. Theoretische und experimentelle Untersuchungen zum Polierverhalten an unterschiedlichen Schichtmaterialien und Topologien bildeten die Grundlage für die Integration der Planarisierungsschritte in einen Hochvolt-CMOS-Prozeß. Neue Design- und Fertigungsregeln konnten aus den Ergebnissen der Untersuchungen zu den Wechselwirkungen zwischen Chiplayout, Schichtabscheidung, Strukturierung und CMP abgeleitet werden. Mit dem Einsatz des Chemisch-Mechanischen Polierens zur Herstellung von bildgebenden Mikrosystemen konnte ein Teilschritt der Gesamttechnologie vereinfacht und verbessert werden.

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